Воронеж. 03.03.2016. ABIREG.RU – Ученые Воронежского государственного университета (ВГУ) разработали проект изготовления материалов для устройств хранения информации нового поколения, сообщили в ВГУ.
Там пояснили, что речь идет о магнитных наноструктурированных материалах силицидов переходных металлов (Si-Me) с эффектом оптического перемагничивания. По мнению ученых, использование этих веществ в устройствах хранения информации поможет увеличить скорость их работы. Благодаря методу оптического перемагничивания воздействие оптического излучения уменьшится до десятков нанометров, что существенно увеличит плотность записи.
Актуальность использования новых материалов, как полагают ученые, обусловлена скорым изменением компьютерных устройств. По прогнозам, переход к новым элементам памяти на основе спинтронных устройств произойдет уже к 2020 году. К тому времени флэшкам понадобятся более высокая скорость записи.
Как поясняют в ВГУ, разработанные материалы ориентированы на «молодые» рынки наноматериалов для фотоники, микросистемной техники и устройств памяти. По мнению ученых, их производство подтолкнет появление высокотехнологичного промышленного комплекса в области наноиндустрии в микро- и наноэлектронике.
